技术参数

（1）测量范围：

       可测硅晶体电阻率：0.005-10000Ω·cm

      可测硅棒尺寸：大长度300mm；直径20mm（均可按用户要求改）

（2）恒流源：

       输出电流：DC0.001-100mA  五档连续可调

       量程：0.001-0.01mA（1-10μA）、0.01-0.1mA（10-100μA）、0.1-1.0mA 、1.0-10mA、10-100mA

       恒流精度：各档均优于±0.05%

（3）直流数字电压表：

        测量范围：0-199.99mV

        灵敏度：10μV

        基本误的差：±（0.004%读数±0.01%满度）

        输入阻抗：≥1000MΩ

（4）电阻测量误的差：≤0.3%

（5）两探针头：KDT-9

        探针间距：1.59±0.01mm   探针直径Φ0.8mm

        游移率：＜0.2%           探针材料：硬质合金（WC）

        探针压力：3±1N/单针

（6）供电电源：

         AC   220V ±10%    50/60Hz.   功率：12W

不能与未加稳压滤波的大功率、高频设备共用电源

（7）使用环境：

         温度：23±2℃   相对温度：≤65%

         无较强的电场干扰，无强光直接照射

（8）重量、体积：

         主机重量：7.5Kg

         体积：390×340×190（单位：mm  长度×宽度×高度）
中西集团