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智能制造网供应网 DRT802/311B-IGBT驱动变压器

DRT802/311B-IGBT驱动变压器

  • 产地
  • 所在地
  • 福建
  • 北京北京市

更新时间:2024-02-18

有效日期:还剩142

产品详情

 

动力星DRT802/311B
IGBT驱动变压器
    DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBTMOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。
 
    一.产品特点:
    耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力;
    漏感小,保证了更好的输出脉冲波形;
    无开关延时、瞬时传输功率高;
    抗电强度高,安全可靠;
    全封闭,机械和耐环境性能好;
    体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。
 
    二.使用条件
    环境温度:-40~+85℃
    相对湿度:温度为40时不大于90%
    大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg)
 
    三.绝缘耐热等级F(155℃)
 
    四.安全特性:
    绝缘电阻:常态时大于1000MΩ
    阻燃性:符合UL94-V0
 
    五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数典型值
    ① 各参数的意义:
    u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ
    VP各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s
    ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn在一定频率范围内其值基本不变
    V1输入脉冲幅度初级脉冲电压
    tn在相应的V1FP下驱动变压器的额定传输脉宽。
    V2输出脉冲幅度次级脉冲幅度)。
    RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。
    LP线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V
    LS漏感将次级绕组短路后测量)f=1000Hz V=1V
    CK分布电容   f=1000Hz V=1V
    ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数
 
u
Vp
(kV)
初级电感
LP
漏感
LS
分布电容
CK
∫udt
(μV S)
V1
(V)
tn
(μS)
V2
(V)
RL
(Ω)
使用频率范围
3:1:1
3.1
14mH
10μH
13pF
≥310
30
11
9
100
100Hz~50 kHz
 

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北京创四方电子集团股份有限

型:
其他
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主营产品:
变压器,互感器,电量传感器,模块电源,电抗器
公司性质:
其他

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