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光入浸式光导室温型HgCdTe探测器介绍
PCI-n（n表示特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是非制冷红外光电探测器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～12µm范围内的任意值可以达到好的性能。他们的高性能和稳定性通过新开发的变隙（HgCdZnTe）半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。
光入浸式光导室温型HgCdTe探测器参数
特性（@ 20ºC） | 单位 | LD-PCI-4 | LD-PCI-5 | LD-PCI-6 | LD-PCI-9 | LD-PCI-10.6 |
特性波长λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探测率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W |
>1E10 >6E9 |
>6E9 >4E9 |
>2.5E9 >1E9 |
>5E8 >1E8 |
>1E8 >5E7 |
响应度-@λop | Vmm/W | >600 | >300 | >60 | >3 | >1 |
响应时间τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪声拐点频率 | kHz | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 |
有效面积(长×宽) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | ||||
偏置电流-宽度比 | mA /mm | 1－2 | 2－4 | 3－10 | 3－15 | 5－20 |
薄层电阻系数 | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
视场, F# | deg | 36,1.62 | ||||
