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在真空状态下， 利用射频辐射视得氢气， 氧气， 氮气，等气体生成具有高反应活性的等离子于气体反应形成挥发性化合物， 然后由真空系统将这些物质清除出去 等离子体刻蚀机，应用刻蚀硅片边缘的硅鳞层，扩散过程中， 不但硅片的表面扩散上了鳞，硅片边缘也扩散上了鳞，这会导致硅片正反两极通过边缘导通短路，所以必须将硅片边缘这层被扩散的 硅鳞去掉，大概去掉1到3个微米， 硅片在刻蚀机内水平选装， 通入的反应气体为四氟化碳，氧气和氮气，其原理是在放电状态下反应气体四氟化碳， 氧气， 和硅片边缘的规划和物发生反应， 生成硅， 反应形成粉末和气态物质后随气流一起被抽走
