Scientific Test, Inc，总部位于美国德州。简称ST，专注于分立元器件的测试源的开发，我们惊异地发现美国*级，火箭级，卫星级产品所使用的器件报告。每个分离元器件报告，都是采用ST的数据存档格式。现在我把STI其中一个产品与泰克370B作一下比较，大家就可以知道其替代性有多强。见本主页技术文档。

ST5000C测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可真实准确测试达十九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件。ST产品使用比较方便，只需要通过USB或者232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL的格式保存，特性曲线保存相当方便。如图所示，

测试范围：

1．二极管 Diode      2.．稳压（齐纳）二极管   Zener

3．晶体管                  Transistor（NPN型/PNP型）

4．可控硅整流器（普通晶闸管）         SCR

5．双向可控硅（双向晶闸管）           TRIAC  

6．MOS场效应管                  Power MOSFET（N-沟/P-沟）

7．结型场效应管           J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）

 8. 三端稳压器         REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）  

9．绝缘栅双极大功率晶体管             IGBT（NPN型/PNP型）

10.光电耦合器            OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）

11.光电逻辑器件                        OPTO-LOGIC  

12.光电开关管                    OPTO-SWITCH

13.达林顿阵列         

14.固态过压保护器                      SSOVP

15.硅触发开关                          STS      

16.继电器                              RELAY（A、B、C型）

17.金属氧化物压变电阻                  MOV       

18.压变电阻                            VARISTO

19.双向触发二极管                       DIAC

 

解决方案：

  Voltage: 1KV Standard, 2KV Optional
Current: 1NA to 50A, 100A Optional
Optional（5300HX）:20PA
Optional（5300HX）: 500/1000/1200A
Resolution: 1MV
0.1NA,
0.1 Milliohm RDSON
Optional（5300HX）: 1PA

标准特性曲线:
Mosfet （N-Channel & P-Channel）
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
Transistor （NPN & PNP）
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of IC
VF vs. IF

 
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