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FPA-640*512 InGaAs Imager（1.2um-2.2um）
此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术，尤其是在非制冷条件下的优化解决方案，CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列，CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。灵敏度可以通过使用嵌入式TEC进一步提高，高可靠性可以通过密封金属封装来实现。
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FPA-640*512说明
参数 | 单位 | zui小值 | zui大值 |
工作温度范围 | ℃ | -20 | +85 |
储存温度范围 | ℃ | -40 | +85 |
功耗 | mW | --- | 325 |
TEC 电流 | A | --- | 1.8 |
TEC 电压 | V | --- | 15.4 |
FPA Characteristics（FPA特性）
参数 | 典型值 | 条件 |
光谱响应 | 0.9-1.7um | --- |
zui小像素的可操作性 | >99% | 636*508内的中心地区 |
暗电流 | <0.2PA | 25℃,0.1V探测器偏压 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探测率 | ≥5*1011 jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
响应非均匀性 | <10% | 饱和度低于50%,25℃ |
非线性(zui大偏差) | <2% | 超过15%-85%全阱容量，低增益 |
zui大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e- | 25℃ |
TEC 制冷 | ΔT>70℃ | 无需加载 |
