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PEM系列光平直入浸式光电磁
PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到佳的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得，微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音，在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。
PEM系列光平直入浸式光电磁
参数
特性（@ 20ºC） | 单位 | LD-PEM－10.6 | LD-PEMI－10.6 |
特性波长λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥3E7 ≥1E7 | ≥1E8 ≥5E7 |
电阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
响应时间τ | ns | ≤1 | ≤1 |
电阻 | Ω | 40－100 | 40－100 |
光学面积（长×宽） 或直径(圆形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F/# | deg | 51,1.1638,1.62 | |
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