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光侵入式倍增结构热电制冷特点
PVMI-2TE-n （n表示佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜（可选）进行光照入。这些器件可以优化为更长波长、更大面积的高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
光侵入式倍增结构热电制冷技术参数
特性（@ 20ºC） | 单位 | LD-PVMI-2TE-10.6 |
特性波长λop | µm | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥1.5∙109 ≥1∙109 |
响应度 – at λop | A·mm /W | ≥0.05 |
响应时间τ | ns | ≤3 |
电阻* | Ω | 1000-350 |
光学面积（长×宽） | mm x mm | 0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2； |
工作温度* | K | 230 |
视场, F#* | deg | 36，1.62 |
