产品详情
特征描述
• 更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗
• 低开关损耗
• 由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用
• 非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管
• 具有高鲁棒性、温度稳定的特性
• 低电磁干扰辐射
• 低栅极电荷
• 非常紧密的参数分布
优势
• 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
• 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
• 器件可靠性高
应用领域
• 不间断电源（UPS）
• 电机控制和驱动
• 工业加热和焊接
• 太阳能系统解决方案
型号： | IKW50N60T |
封装： | TO-247 |
制造商： | Infineon |
产品种类： | IGBT晶体管 |
RoHS： | 是 |
封装/箱体： | TO-247-3 |
安装风格： | Through Hole |
配置： | Single |
集电极—发射极电压VCEO： | 600 V |
集电极—射极饱和电压： | 1.5 V |
栅极/发射极电压： | 20 V |
在25 C的连续集电极电流： | 80 A |
Pd-功率耗散： | 333 W |
工作温度： | - 40 C + 175 C |
系列： | TRENCHSTOP IGBT |
集电极连续电流Ic： | 80 A |
高度： | 20.9 mm |
长度： | 15.9 mm |
宽度： | 5.03 mm |
栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
