TZ-IV可控硅调功器/信号控制处理器

特点：

1、控制可控硅的导通周波，进而控制可控硅在相对运行周期内的导通率。达到连续调节可控硅负载功率之目的。

2、相对运行周期为不大于1秒的变周期。在相同导通率的情况下，以较短相对运行周期工作。控制分辨率达1％，控制温度时，精度高、温度波动小。

3、手动/自动切换方便，“来电”或切换到“自动”时有16秒钟的软过渡。手动操作时，自成简单的开环控温系统。

4、光柱直观显示可控硅的负载实际功率比大小。

5、既有直接驱动大电流可控硅（或可控硅组）的触发输出端，又有驱动“过零触发固态继电器”（SSR）的输出信号。可视实际情况选择不同的触发大电流可控硅（或可控硅组）的方式。

6、光柱闪烁提示部分异常情况及故障，方便报警及故障排除。

7、带有保护用输入端，以便在主电路可控硅出现温度过高、过载等保护信号到来时，及时切断控制器的输出信号，阻止主电路大可控硅导通，同时光柱闪烁报警。

8、控制器均可触发双向可控硅或反并联可控硅，对可控硅的触发电流及电流、电压上升率无需挑选。

9、“过零触发”。可控硅输出正弦波或正弦半波，其辐射干扰

10、传导干扰及负载电流的瞬间浪涌都很小。可控硅运行时无噪声，寿命长。

11、三相电路各自单独同步，各相可控硅都输出正弦波或正弦半波。

12、有多种输入信号形式选择，有盘装式、架装式、单相、三相多种结构的控制器供选用。

13、拔插式的接线端子，接线容易，拆换方便。

提供SSR模块触发信号输出，以方便利用过零触发模块触发三相电路主可控硅（模块与主可控硅同置一处）。周波控制器与主可控硅相距较远的情况下，可节省线缆根数。

控温原理：

周波控制器接受温控仪（或上位机）送来的信号，信号转换电路

将这个输入信号转换成统一的数字量。脉冲宽度调制器根据这个数字

量确定可控硅的“导通率”，根据这个“导通率”再确定一个较小的

“相对运行周期”和在这个周期内可控硅需要导通的时间。周波控制

器让可控硅在一个“相对运行周期”里需要导通的时间导通。过零触

发器总是在“需要导通”的时间里，主电路电压过零时去触发可控硅，

达到导通“完整周波”或“完整半个波”的效果。

总之，周波控制器根据输入信号确定“导通率”，并同时确定较

短“相对运行周期”和这个周期内需要导通的周波数，依据这些控制

可控硅的导通，达到改变加热功率的目的。本仪表的相对运行周期不

大于 1 秒

TZ-IV可控硅调功器/信号控制处理器

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