测试能力

测试电压：600V/150A  (可扩展到1200V/150A)

时间测量精度：最小1nS

实时漏极电流监测

电流能力可根据用户需求适当扩展

配置测试头

阻性开关时间特性测试头

感性开关时间特性测试头

栅电荷量测试头-N

栅电荷量测试头-P

二极管Trr/Qrr测试头

雪崩耐量测试头

双极型三极管测试头

系统特点

◆  测试头可更换适用于不同参数测试

◆  测试头可根据用户需求更换或者扩展

◆  自动化测试不同参数

◆  PC机为系统的主控机

◆  可为用户提供丰富的测试适配器，为用户定制专用测试电路

◆  菜单式测试程序编辑软件操作简便

◆  自动保存测试波形和数据表单

◆  可编程分BIN功能，Prober接口、Handler接口可选

◆  泰克高带宽数字化示波器，最小时间测量分辨率400pS

◆  正负高速脉冲激励源

◆  漏极电压达600V

◆  漏极电流达150A

◆  通过IEEE488接口连接校准数字表传递国家计量标准对系统进行校验

安全特性

测试舱门与高压互锁保护

极短测试脉冲以及过流监控

高速漏极开关保护

测试参数

开关时间测试（Switching Time）

用于测量N或者P沟道MOSFET的开关时间特性，符合标准MIL-STD-750，Methode 3472对功率MOSFET器件的测试方法，测试参数为：

开启时间Td(on)； 关断时间Td(off)；

上升时间Tr；     下降时间Tf；

延迟时间Td；     存储时间Ts；      （BJT）（选配）

备注：可用于测试IGBT，双极型晶体管，可以给用户提供定制或特殊的测试适配器。

功率整流器二极管测试（Trr/Qrr）

测试电路符合标准MIL-STD-750，Methode 3473，采用双脉冲方法进行测试：

二极管反向恢复时间Trr

二极管反向恢复电荷Qrr

二极管反向恢复电流变化率di/dt

二极管反向恢复电压变化率dv/dt（选配）

栅电荷测试（Gate Charge Test）

测试电路符合标准MIL-STD-750，Methode 3471，ConditionB。测试系统具备可编程高阻抗漏极恒流源负载，用于测试：

栅极总电荷Qg(on)

栅源充电电量Qgs

栅漏充电电量Qgd等参数

栅极开启电荷量Qgs（th）（选配）

栅极平台电压Vpl（选配）

N/P沟道测试可选

雪崩能量测试

可测单脉冲雪崩能量EAS、重复脉冲雪崩能量EAR；

可测试雪崩电压：MAX 2000V

漏极施加瞬态电流：IDS MAX 200A

输出能量: 10J

配备程控电感箱：0.01mH～159.9mH，程控,连续或步进（最小步进0.01mH）可调；

技术指标

1、栅极电压(Gate Voltage)

2、高压源(VDD Supply)

3、恒流源负载(Current Regulator)

4、测量单元(VM)

5、  脉冲源

脉冲幅度： 5Vpp～20Vpp (可编程)

脉冲边沿：≤5nS （典型值 Tr/Tf@20V）

脉冲宽度：1μS～100μS (可编程)

6、  时间测量 （同示波器指标）

带宽：350MHz            

最小时间测量分辨率：400pS

体积：177（高）*60（宽）*128（深）cm

重量：150公斤