供应FZ3600R17HP4英飞凌IGBT模块FZ3600R17HE4P,-智能制造网

北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；IPM模块;半导体功率模块

IHM B 1700 V 3600A 190 mm 单开关 IGBT 模块，配有第四代沟槽栅/场终止 IGBT，是您的工业应用的理想解决方案。预涂热界面材料

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管——适用于牵引和工业应用的成熟解决方案

高直流电压稳定性
高短路能力
自限制短路电流
低开关损耗
出色的坚固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正温度系数
铝碳化硅基板，用于提高热循环能力
封装的 CTI > 600
绝缘基板

具有高电流能力的现有封装，允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；

英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

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1	IGBT芯片的功率损耗。这个值可以通过IGBT芯片厂家提供的datasheet中查到。通常来说，功率损耗越大，工作结温就越高。
2	IGBT芯片的封装方式。不同的封装方式会影响散热效率。一般来说，背面带有散热片的封装方式散热效果较好。
3	外部散热器的散热能力。外部散热器的散热能力也会影响工作结温。散热器的大小、材料以及通风情况都会影响散热效果。