产品详情
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！
功率器件短路测试电源脉冲恒流源优势
50~500us的脉冲宽度连续可调；
同步测量电压；
单台较大可达1000A输出；
可极性反转；
0.1%测试精度；
简述
高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。
器件 | 测试项 |
肖特基二极管，整流桥堆 | 瞬时前向电压 |
IGBT器件 | IGBT导通压降、键合线阻抗 |
IGBT模块，IPM模块 | IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压、键合线阻抗 |
技术指标
项目 | 参数 |
电流脉宽 | 50μs~500μs |
脉冲电流上升沿时间 | 典型时间15μs |
输出脉冲电流 | 5A~1000A量程，精度0.1%FS±1A |
输出负载电压要求 | <12V@1000A |
DUT电压测量 | 2独立通道 |
远端测量，峰值电压测量（取样点可配置） | |
0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV | |
0~3V量程，精度0.1%±3mV | |
0~18V量程，精度0.1%±8mV | |
电流脉冲输出间隔时间 | 1秒 |
电流脉冲峰值功率 | <12kW |
多设备并联 | 支持多设备并联输出超大电流，如3000A |
输出极性反转 | 支持 |
触发信号 | 支持trig in及trig out |
通讯接口 | RS232、LAN |
输入电压 | 90~264VAC、50/60Hz |
输入功率 | <750W |
尺寸 | 长516 x宽220 x高160mm |
功率器件短路测试电源脉冲恒流源应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。
未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。
