芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(DeviceUnderTest)的检测，区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参数测试是检验芯片电性能的重要手段之一，常用的测试方法是FIMV（加电流测电压）及FVMI（加电压测电流）。
传统的芯片电性能测试需要数台仪表完成，如电压源、电流源、万用表等，然而由数台仪表组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程复杂又耗时，又占用过多测试台的空间，而且使用单一功能的仪表和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定性及更慢的总线传输速度等缺陷，无法满足高效率测试的需求。
实施芯片电性能测试的最佳工具之一是数字源表(SMU)，数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、电压表、电流表和电子负载，支持四象限功能，可提供恒流测压及恒压测流功能,可简化芯片电性能测试方案。MEMS芯片电性能测试数字源表就找普赛斯仪表

此外，由于芯片的规模和种类迅速增加，很多通用型测试设备虽然能够覆盖多种被测对象的测试需求，但受接口容量和测试软件运行模式的限制，无法同时对多个被测器件（DUT）进行测试，因此规模化的测试效率极低。特别是在生产和老化测试时，往往要求在同一时间内完成对多个DUT的测试，或者在单个DUT上异步或者同步地运行多个测试任务。

基于普赛斯CS系列多通道插卡式数字源表搭建的测试平台，可进行多路供电及电参数的并行测试，高效、精确地对芯片进行电性能测试和测试数据的自动化处理。主机采用10插卡/3插卡结构，背板总线带宽高达3Gbps，支持16路触发总线，满足多卡设备高速率通信需求；汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，具有通道密度高、同步触发功能强、多设备组合效率高等特点，最高可扩展至40通道。

使用普赛斯数字源表进行芯片的开短路测试(Open/Short  Test)、漏电流测试（Leakage  Test）以及DC参数测试（DC ParametersTest）。

开短路测试（Open-Short  Test，也称连续性或接触测试），用于验证测试系统与器件所有引脚的电接触性，测试的过程是借用对地保护二极管进行的，测试连接电路如下所示：

漏电流测试，又称为Leakage  Test，漏电流测试的目的主要是检验输入Pin脚以及高阻状态下的输出Pin脚的阻抗是否够高，测试连接电路如下所示：

DC参数的测试，一般都是Force电流测试电压或者Force电压测试电流，主要是测试阻抗性。一般各种DC参数都会在Datasheet里面标明，测试的主要目的是确保芯片的DC参数值符合规范：

MEMS芯片电性能测试数字源表认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下纳安级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富