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■ DSi200/DSi300硅光电探测器

硅光电探测器（Si）
———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图：（右）

硅光电探测器使用建议：
◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

型号列表及主要技术指标：

技术指标＼型号名称	DSi200 紫敏硅探测器	DSi300 硅探测器
	进口紫外增强型	国产低暗电流型
有效接收面积（mm²）	100（Φ11.28）	100（10×10）
波长范围（nm）	200-1100	300-1100
峰值波长（nm）	-------	800±20
峰值波长响应度（A/W）	0.52	>0.4
254nm的响应度（A/W）	0.14（>0.09）	-------
响应时间（μs）	5.9	-------
工作温度范围（℃）	-10～+60	-------
储存温度范围（℃）	-20～+70	-------
分流电阻R_SH（MΩ）	10（>5）	-------
等效噪声功率NEP （W/√Hz）	4.5×10^-13	-------
暗电流（25℃；-1V）	-------	1X10^-8—5×10^-11 A
结电容（pf）	4500	<3000（-10V）
信号输出模式	电流	电流
输出信号极性	正（P）	正（P）